德国SGLUX 碳化硅紫外光电二极管 - SG01M–A5

  • 德国SGLUX 碳化硅紫外光电二极管
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1. 采用碳化硅(SiC)材料
2. 适用于UVA频段
3. 有效探测区域0.2mm2
4. 10mW/cm2峰值辐射照度产生约740nA电流
5. 芯片高度稳定性(通过德国PTB认证)

产品型号:
SG01M–A5
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产品先容

一、碳化硅紫外光电二极管SG01M–A5特性:

1. 采用碳化硅(SiC)材料

2. 适用于UVA频段

3. 有效探测区域0.2mm2

4. 10mW/cm2峰值辐射照度产生约740nA电流

5. 芯片高度稳定性(通过德国PTB认证)

关于碳化硅材料(SiC):

SiC可承受极端辐射硬度,近乎完美的可见盲区,低暗电流,高速响应和低噪音的独特属性;这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的适宜使用材料。SiC探测器可以永久工作在高达170℃的温度中,信号(响应率)的温度系数也很低,<0.1%/K。由于(fA级别的暗电流)噪音低,很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量,(需要适当的放大器)。

SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器,提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。


二、碳化硅紫外光电二极管SG01M–A5技术参数:

型号

SG01M-A5

SG01M-A18

光谱特性

响应率

0.037A/W

0.037A/W

波长典型值

331nm

331nm

波长范围(S=0.1*Smax)

309-367nm

309-367nm

可见盲区(Smax/S>405nm)

>1010

>1010

一般特性(25℃)

有效探测区域

0.2mm2

0.2mm2

暗电流(1V反向偏压)

0.7fA

0.7fA

电容

50pF

50pF

短路电流(10mW/cm2峰值辐射照度)

约740nA

约740nA

温度系数

<0.1%/K

<0.1%/K

额定值

操作温度

-55~+170℃

-55~+170℃

储存温度

-55~+170℃

-55~+170℃

焊接温度(3S)

260℃

260℃

反向电压VRmax

20V

20V

物理特性

采用T05金属外壳密封,1针脚绝缘,1针脚接地

采用T018金属外壳密封,1针脚绝缘,1针脚接地


三、碳化硅紫外光电二极管SG01M–A5应用领域:

主 要用于火焰控制(工业锅炉),水处理( UV强度的保险),UV天文(阵列探测),枪弹跟踪(紫外线照相机),臭氧和污染物监测,火焰感应(火警安全装置 油滴监测),测试太阳光中的紫外线强度(礼品、化妆品用具),紫外线灯管的紫外线发生强度测试(医疗器械或民用消毒碗柜的消毒效率检验)等。

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